BAV101 L1G
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| Numero parte | BAV101 L1G |
| PNEDA Part # | BAV101-L1G |
| Descrizione | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.334 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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BAV101 L1G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAV101 L1G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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BAV101 L1G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 250V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Mini MELF |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 450mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
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