BAS20-G3-08
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| Numero parte | BAS20-G3-08 |
| PNEDA Part # | BAS20-G3-08 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.884 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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BAS20-G3-08 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAS20-G3-08 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BAS20-G3-08 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q100/101, CoolSiC™ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 20A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 120µA @ 650V Capacità @ Vr, F 584pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3-41 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 1.5A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 900ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F 9.5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 650mV @ 4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 800µA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
