BAR9002LRHE6327XTSA1
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| Numero parte | BAR9002LRHE6327XTSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | BAR9002LRHE6327XTSA1 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 28.758 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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BAR9002LRHE6327XTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAR9002LRHE6327XTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Diodi - RF |
| Datasheet |
BAR9002LRHE6327XTSA1, BAR9002LRHE6327XTSA1 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 897,15 KB)
  
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BAR9002LRHE6327XTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | PIN - Single |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 80V |
| Corrente - Max | 100mA |
| Capacità @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
| Resistenza @ If, F | 800mOhm @ 10mA, 100MHz |
| Dissipazione di potenza (max) | 250mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Pacchetto / Custodia | SOD-882 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-2 |
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