BAQ35-GS18
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| Numero parte | BAQ35-GS18 |
| PNEDA Part # | BAQ35-GS18 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.688 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida) |
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BAQ35-GS18 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAQ35-GS18 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BAQ35-GS18 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 125V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1nA @ 60V |
| Capacità @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-41 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 125°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 430mV @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 75µA @ 30V Capacità @ Vr, F 140pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 0402 (1006 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore CLP1006-2L Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 2.1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 920mV @ 1.5A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 37pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 70V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 70V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-41 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 70V Corrente - Media Rettificata (Io) 70mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 15mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 5ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 200nA @ 50V Capacità @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
