BA779-2-HG3-08
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| Numero parte | BA779-2-HG3-08 |
| PNEDA Part # | BA779-2-HG3-08 |
| Descrizione | RF DIODE PIN 30V SOT23-3 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.520 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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BA779-2-HG3-08 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BA779-2-HG3-08 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Diodi - RF |
| Datasheet |
BA779-2-HG3-08, BA779-2-HG3-08 Datasheet
(Totale pagine: 4, Dimensioni: 122,66 KB)
  
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BA779-2-HG3-08 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | PIN - 1 Pair Series Connection |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 30V |
| Corrente - Max | 50mA |
| Capacità @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 100MHz |
| Resistenza @ If, F | 50Ohm @ 1.5mA, 100MHz |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo PIN - 1 Pair Common Cathode Tensione - Picco inverso (Max) 50V Corrente - Max 100mA Capacità @ Vr, F 0.3pF @ 5V, 1MHz Resistenza @ If, F 1Ohm @ 10mA, 100MHz Dissipazione di potenza (max) 250mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
