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AUIRS4426S

AUIRS4426S

Solo per riferimento

Numero parte AUIRS4426S
PNEDA Part # AUIRS4426S
Descrizione IC DRIVER LOW SIDE DUAL 8SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AUIRS4426S Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAUIRS4426S
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
AUIRS4426S, AUIRS4426S Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 260,07 KB)
PDFAUIRS4426S Datasheet Copertura
AUIRS4426S Datasheet Pagina 2 AUIRS4426S Datasheet Pagina 3 AUIRS4426S Datasheet Pagina 4 AUIRS4426S Datasheet Pagina 5 AUIRS4426S Datasheet Pagina 6 AUIRS4426S Datasheet Pagina 7 AUIRS4426S Datasheet Pagina 8 AUIRS4426S Datasheet Pagina 9 AUIRS4426S Datasheet Pagina 10 AUIRS4426S Datasheet Pagina 11

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AUIRS4426S Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q100
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione6V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.7V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2.3A, 3.3A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)15ns, 25ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.5ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 9ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IRS2301STRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

200mA, 350mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

130ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IR2011SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.7V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1A, 1A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

200V

Tempo di salita / discesa (tipico)

35ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.6A, 2.4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

95V

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

20-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

20-PDIP

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