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AUIRFS8407-7P

AUIRFS8407-7P

Solo per riferimento

Numero parte AUIRFS8407-7P
PNEDA Part # AUIRFS8407-7P
Descrizione MOSFET N-CH 40V 240A AUTO
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 15.300
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AUIRFS8407-7P Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAUIRFS8407-7P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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AUIRFS8407-7P Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C240A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs225nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7437pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)231W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK-7
Pacchetto / CustodiaTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.04W (Ta), 20.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFBC40L

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NTGD4169FT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 15V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

EPC2010

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 5V

Vgs (massimo)

+6V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Pacchetto / Custodia

Die

FQD2N60TF

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±30V

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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