AUIRFN7110TR
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| Numero parte | AUIRFN7110TR |
| PNEDA Part # | AUIRFN7110TR |
| Descrizione | MOSFET NCH 100V 58A PQFN |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.524 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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AUIRFN7110TR Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AUIRFN7110TR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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AUIRFN7110TR Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 4.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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