AUIRF7316QTR
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| Numero parte | AUIRF7316QTR |
| PNEDA Part # | AUIRF7316QTR |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.366 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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AUIRF7316QTR Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AUIRF7316QTR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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AUIRF7316QTR Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V Potenza - Max 2.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-ECH |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 220mA, 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6) |
Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 34mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8200pF @ 10V Potenza - Max 415W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V Potenza - Max 6.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-70-6 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual |
