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AT93C66A-10TI-2.7-T

AT93C66A-10TI-2.7-T

Solo per riferimento

Numero parte AT93C66A-10TI-2.7-T
PNEDA Part # AT93C66A-10TI-2-7-T
Descrizione IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 2.844
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AT93C66A-10TI-2.7-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT93C66A-10TI-2.7-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT93C66A-10TI-2.7-T, AT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 163,1 KB)
PDFAT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet Copertura
AT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT93C66A-10TI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT93C66A-10TI-2.7-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria4Kb (512 x 8, 256 x 16)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock2MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-LQFP (14x20)

CY7C1049GE30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

S98WS512P00FW0020A

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C1462KV25-167BZI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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