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AT49BV322AT-70TU

AT49BV322AT-70TU

Solo per riferimento

Numero parte AT49BV322AT-70TU
PNEDA Part # AT49BV322AT-70TU
Descrizione IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.210
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT49BV322AT-70TU Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT49BV322AT-70TU
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT49BV322AT-70TU, AT49BV322AT-70TU Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 487,72 KB)
PDFAT49BV322A-70TU Datasheet Copertura
AT49BV322A-70TU Datasheet Pagina 2 AT49BV322A-70TU Datasheet Pagina 3 AT49BV322A-70TU Datasheet Pagina 4 AT49BV322A-70TU Datasheet Pagina 5 AT49BV322A-70TU Datasheet Pagina 6 AT49BV322A-70TU Datasheet Pagina 7 AT49BV322A-70TU Datasheet Pagina 8 AT49BV322A-70TU Datasheet Pagina 9 AT49BV322A-70TU Datasheet Pagina 10 AT49BV322A-70TU Datasheet Pagina 11

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AT49BV322AT-70TU Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina200µs
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore48-TSOP

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Gb (64M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

220-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

220-FBGA (14x14)

24CW320-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

24CW

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

70V26S55J8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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CY7C2270XV18-600BZXC

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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