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AT49BV040A-70TU

AT49BV040A-70TU

Solo per riferimento

Numero parte AT49BV040A-70TU
PNEDA Part # AT49BV040A-70TU
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.824
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AT49BV040A-70TU Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT49BV040A-70TU
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT49BV040A-70TU, AT49BV040A-70TU Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 390,86 KB)
PDFAT49BV040A-90VU-T Datasheet Copertura
AT49BV040A-90VU-T Datasheet Pagina 2 AT49BV040A-90VU-T Datasheet Pagina 3 AT49BV040A-90VU-T Datasheet Pagina 4 AT49BV040A-90VU-T Datasheet Pagina 5 AT49BV040A-90VU-T Datasheet Pagina 6 AT49BV040A-90VU-T Datasheet Pagina 7 AT49BV040A-90VU-T Datasheet Pagina 8 AT49BV040A-90VU-T Datasheet Pagina 9 AT49BV040A-90VU-T Datasheet Pagina 10 AT49BV040A-90VU-T Datasheet Pagina 11

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AT49BV040A-70TU Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50µs
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-TSOP

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP-T

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

450MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

PC28F00AG18AE

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

96ns

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-EasyBGA (8x10)

CAV93C76YE-GT3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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