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AT45DB321D-MU

AT45DB321D-MU

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB321D-MU
PNEDA Part # AT45DB321D-MU
Descrizione IC FLASH 32M SPI 66MHZ 8VDFN
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 17.156
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB321D-MU Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB321D-MU
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB321D-MU, AT45DB321D-MU Datasheet (Totale pagine: 51, Dimensioni: 4.244,31 KB)
PDFAT45DB321D-SU-2.5 Datasheet Copertura
AT45DB321D-SU-2.5 Datasheet Pagina 2 AT45DB321D-SU-2.5 Datasheet Pagina 3 AT45DB321D-SU-2.5 Datasheet Pagina 4 AT45DB321D-SU-2.5 Datasheet Pagina 5 AT45DB321D-SU-2.5 Datasheet Pagina 6 AT45DB321D-SU-2.5 Datasheet Pagina 7 AT45DB321D-SU-2.5 Datasheet Pagina 8 AT45DB321D-SU-2.5 Datasheet Pagina 9 AT45DB321D-SU-2.5 Datasheet Pagina 10 AT45DB321D-SU-2.5 Datasheet Pagina 11

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AT45DB321D-MU Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock66MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina6ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-VDFN (6x5)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.2GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (7.5x13.5)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (9x9)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (8x8)

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

30ns

Tempo di accesso

30ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

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Produttore

Maxim Integrated

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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