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AT45DB161E-MHF2B-T

AT45DB161E-MHF2B-T

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB161E-MHF2B-T
PNEDA Part # AT45DB161E-MHF2B-T
Descrizione IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.938
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 29 - giu 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB161E-MHF2B-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB161E-MHF2B-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB161E-MHF2B-T, AT45DB161E-MHF2B-T Datasheet (Totale pagine: 74, Dimensioni: 2.532,43 KB)
PDFAT45DB161E-CCUF-T Datasheet Copertura
AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 2 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 3 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 4 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 5 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 6 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 7 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 8 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 9 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 10 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB161E-MHF2B-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria16Mb (512 Bytes x 4096 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (5x6)

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Produttore

Macronix

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (11.43x14.05)

S29GL256S90FHI023

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

CY62147EV30LL-45B2XI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

IS42S83200G-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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S34MS01G104BHB013

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

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Tipo di montaggio

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