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AT45DB161B-CC

AT45DB161B-CC

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB161B-CC
PNEDA Part # AT45DB161B-CC
Descrizione IC FLASH 16M SPI 20MHZ 24CBGA
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.618
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB161B-CC Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB161B-CC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB161B-CC, AT45DB161B-CC Datasheet (Totale pagine: 33, Dimensioni: 220,72 KB)
PDFAT45DB161B-CNC-2.5 Datasheet Copertura
AT45DB161B-CNC-2.5 Datasheet Pagina 2 AT45DB161B-CNC-2.5 Datasheet Pagina 3 AT45DB161B-CNC-2.5 Datasheet Pagina 4 AT45DB161B-CNC-2.5 Datasheet Pagina 5 AT45DB161B-CNC-2.5 Datasheet Pagina 6 AT45DB161B-CNC-2.5 Datasheet Pagina 7 AT45DB161B-CNC-2.5 Datasheet Pagina 8 AT45DB161B-CNC-2.5 Datasheet Pagina 9 AT45DB161B-CNC-2.5 Datasheet Pagina 10 AT45DB161B-CNC-2.5 Datasheet Pagina 11

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AT45DB161B-CC Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina14ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-LBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore24-CBGA (6x8)

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

S29GL128S90DHI020

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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