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AT45DB081E-SSHN-T

AT45DB081E-SSHN-T

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB081E-SSHN-T
PNEDA Part # AT45DB081E-SSHN-T
Descrizione IC FLASH 8M SPI 85MHZ 8SOIC
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 11.588
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB081E-SSHN-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB081E-SSHN-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB081E-SSHN-T, AT45DB081E-SSHN-T Datasheet (Totale pagine: 70, Dimensioni: 2.568,76 KB)
PDFAT45DB081E-UUN2B-T Datasheet Copertura
AT45DB081E-UUN2B-T Datasheet Pagina 2 AT45DB081E-UUN2B-T Datasheet Pagina 3 AT45DB081E-UUN2B-T Datasheet Pagina 4 AT45DB081E-UUN2B-T Datasheet Pagina 5 AT45DB081E-UUN2B-T Datasheet Pagina 6 AT45DB081E-UUN2B-T Datasheet Pagina 7 AT45DB081E-UUN2B-T Datasheet Pagina 8 AT45DB081E-UUN2B-T Datasheet Pagina 9 AT45DB081E-UUN2B-T Datasheet Pagina 10 AT45DB081E-UUN2B-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB081E-SSHN-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria8Mb (264 Bytes x 4096 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1067MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

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Tipo di memoria

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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IS64LF12836A-7.5B3LA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-TFBGA (13x15)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

600ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

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FLASH

Dimensione della memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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