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AT45DB041E-UUN2B-T

AT45DB041E-UUN2B-T

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB041E-UUN2B-T
PNEDA Part # AT45DB041E-UUN2B-T
Descrizione IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8WLCSP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.340
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB041E-UUN2B-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB041E-UUN2B-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB041E-UUN2B-T, AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet (Totale pagine: 70, Dimensioni: 2.539,45 KB)
PDFAT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Copertura
AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 2 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 3 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 4 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 5 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 6 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 7 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 8 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 9 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 10 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB041E-UUN2B-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria4Mb (256 Bytes x 2048 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore8-WLCSP

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Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50ns

Tempo di accesso

50ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

3Mb (128K x 24)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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