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AT45DB041E-SHN-B

AT45DB041E-SHN-B

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB041E-SHN-B
PNEDA Part # AT45DB041E-SHN-B
Descrizione IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8SOIC
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 21.714
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB041E-SHN-B Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB041E-SHN-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB041E-SHN-B, AT45DB041E-SHN-B Datasheet (Totale pagine: 70, Dimensioni: 2.539,45 KB)
PDFAT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Copertura
AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 2 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 3 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 4 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 5 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 6 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 7 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 8 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 9 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 10 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB041E-SHN-B Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

576Mb (64M x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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144-FCBGA (11x18.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (8x8)

AT28C64E-20SC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200µs

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

RM24C32C-LTAI-T

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

CBRAM®

Tecnologia

CBRAM

Dimensione della memoria

32kb (32B Page Size)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 1.2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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