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AT45DB041B-CI-2.5

AT45DB041B-CI-2.5

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB041B-CI-2.5
PNEDA Part # AT45DB041B-CI-2-5
Descrizione IC FLASH 4M SPI 15MHZ 14CBGA
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 7.974
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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AT45DB041B-CI-2.5 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB041B-CI-2.5
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB041B-CI-2.5, AT45DB041B-CI-2.5 Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 584,44 KB)
PDFAT45DB041B-SU Datasheet Copertura
AT45DB041B-SU Datasheet Pagina 2 AT45DB041B-SU Datasheet Pagina 3 AT45DB041B-SU Datasheet Pagina 4 AT45DB041B-SU Datasheet Pagina 5 AT45DB041B-SU Datasheet Pagina 6 AT45DB041B-SU Datasheet Pagina 7 AT45DB041B-SU Datasheet Pagina 8 AT45DB041B-SU Datasheet Pagina 9 AT45DB041B-SU Datasheet Pagina 10 AT45DB041B-SU Datasheet Pagina 11

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AT45DB041B-CI-2.5 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock15MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina14ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia14-LBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore14-CBGA (4.5x7)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

120-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

120-TQFP (14x14)

CY15B064J-SXA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SST25PF040CT-40V/SN18GVAO

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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