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AT45DB021D-SH-B

AT45DB021D-SH-B

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB021D-SH-B
PNEDA Part # AT45DB021D-SH-B_CA
Descrizione IC FLASH 2M SPI 66MHZ 8SOIC
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 83.831
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB021D-SH-B Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB021D-SH-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB021D-SH-B, AT45DB021D-SH-B Datasheet (Totale pagine: 48, Dimensioni: 1.706,35 KB)
PDFAT45DB021D-MH-T Datasheet Copertura
AT45DB021D-MH-T Datasheet Pagina 2 AT45DB021D-MH-T Datasheet Pagina 3 AT45DB021D-MH-T Datasheet Pagina 4 AT45DB021D-MH-T Datasheet Pagina 5 AT45DB021D-MH-T Datasheet Pagina 6 AT45DB021D-MH-T Datasheet Pagina 7 AT45DB021D-MH-T Datasheet Pagina 8 AT45DB021D-MH-T Datasheet Pagina 9 AT45DB021D-MH-T Datasheet Pagina 10 AT45DB021D-MH-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB021D-SH-B Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria2Mb (264 Bytes x 1024 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock66MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

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CY7C1413JV18-200BZXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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MX25R1635FBDIL0

Macronix

Produttore

Macronix

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S29GL128P11FAI010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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