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AT34C02N-10SC-2.7

AT34C02N-10SC-2.7

Solo per riferimento

Numero parte AT34C02N-10SC-2.7
PNEDA Part # AT34C02N-10SC-2-7
Descrizione IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.606
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 3 - lug 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT34C02N-10SC-2.7 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT34C02N-10SC-2.7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT34C02N-10SC-2.7, AT34C02N-10SC-2.7 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 240,17 KB)
PDFAT34C02N-10SI Datasheet Copertura
AT34C02N-10SI Datasheet Pagina 2 AT34C02N-10SI Datasheet Pagina 3 AT34C02N-10SI Datasheet Pagina 4 AT34C02N-10SI Datasheet Pagina 5 AT34C02N-10SI Datasheet Pagina 6 AT34C02N-10SI Datasheet Pagina 7 AT34C02N-10SI Datasheet Pagina 8 AT34C02N-10SI Datasheet Pagina 9 AT34C02N-10SI Datasheet Pagina 10 AT34C02N-10SI Datasheet Pagina 11

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AT34C02N-10SC-2.7 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Kb (256 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

65ns

Tempo di accesso

65ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT71T75702S85PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VVSOP

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Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

64Mb (256 Bytes x 32K pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

30µs, 6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Tb (256G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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