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AT34C02BY6-10YH-1.7

AT34C02BY6-10YH-1.7

Solo per riferimento

Numero parte AT34C02BY6-10YH-1.7
PNEDA Part # AT34C02BY6-10YH-1-7
Descrizione IC EEPROM 2K I2C 8MINI MAP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.244
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT34C02BY6-10YH-1.7 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT34C02BY6-10YH-1.7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT34C02BY6-10YH-1.7, AT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 467,09 KB)
PDFAT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet Copertura
AT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet Pagina 2 AT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet Pagina 3 AT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet Pagina 4 AT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet Pagina 5 AT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet Pagina 6 AT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet Pagina 7 AT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet Pagina 8 AT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet Pagina 9 AT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet Pagina 10 AT34C02BY6-10YH-1.7 Datasheet Pagina 11

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AT34C02BY6-10YH-1.7 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Kb (256 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-Mini Map (2x3)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

183MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

CY15B064J-SXE

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

W632GG6AB-12

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

130-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

130-VFBGA (8x9)

IS42RM32400H-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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