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AT28HC64B-90PU

AT28HC64B-90PU

Solo per riferimento

Numero parte AT28HC64B-90PU
PNEDA Part # AT28HC64B-90PU
Descrizione IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.174
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT28HC64B-90PU Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT28HC64B-90PU
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT28HC64B-90PU, AT28HC64B-90PU Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 323,8 KB)
PDFAT28HC64B-90PU Datasheet Copertura
AT28HC64B-90PU Datasheet Pagina 2 AT28HC64B-90PU Datasheet Pagina 3 AT28HC64B-90PU Datasheet Pagina 4 AT28HC64B-90PU Datasheet Pagina 5 AT28HC64B-90PU Datasheet Pagina 6 AT28HC64B-90PU Datasheet Pagina 7 AT28HC64B-90PU Datasheet Pagina 8 AT28HC64B-90PU Datasheet Pagina 9 AT28HC64B-90PU Datasheet Pagina 10 AT28HC64B-90PU Datasheet Pagina 11

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AT28HC64B-90PU Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia28-DIP (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore28-PDIP

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

M50FLW040BNB5TG TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

DS1220Y-100IND+

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-EDIP

MT49H16M18CSJ-25 IT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

288Mb (16M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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