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AT28C64E-25PC

AT28C64E-25PC

Solo per riferimento

Numero parte AT28C64E-25PC
PNEDA Part # AT28C64E-25PC
Descrizione IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.762
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT28C64E-25PC Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT28C64E-25PC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT28C64E-25PC, AT28C64E-25PC Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 318,85 KB)
PDFAT28C64E-25TI Datasheet Copertura
AT28C64E-25TI Datasheet Pagina 2 AT28C64E-25TI Datasheet Pagina 3 AT28C64E-25TI Datasheet Pagina 4 AT28C64E-25TI Datasheet Pagina 5 AT28C64E-25TI Datasheet Pagina 6 AT28C64E-25TI Datasheet Pagina 7 AT28C64E-25TI Datasheet Pagina 8 AT28C64E-25TI Datasheet Pagina 9 AT28C64E-25TI Datasheet Pagina 10 AT28C64E-25TI Datasheet Pagina 11

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AT28C64E-25PC Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina200µs
Tempo di accesso250ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TC)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia28-DIP (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore28-PDIP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

580536-002-00

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

MT53B384M64D4NK-053 WT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

24Gb (384M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

366-WFBGA (15x15)

CY7C1515KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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