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AT27C512R-45TI

AT27C512R-45TI

Solo per riferimento

Numero parte AT27C512R-45TI
PNEDA Part # AT27C512R-45TI
Descrizione IC EPROM 512K PARALLEL 28TSOP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.344
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT27C512R-45TI Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT27C512R-45TI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT27C512R-45TI, AT27C512R-45TI Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 169,24 KB)
PDFAT27C512R-90RA Datasheet Copertura
AT27C512R-90RA Datasheet Pagina 2 AT27C512R-90RA Datasheet Pagina 3 AT27C512R-90RA Datasheet Pagina 4 AT27C512R-90RA Datasheet Pagina 5 AT27C512R-90RA Datasheet Pagina 6 AT27C512R-90RA Datasheet Pagina 7 AT27C512R-90RA Datasheet Pagina 8 AT27C512R-90RA Datasheet Pagina 9 AT27C512R-90RA Datasheet Pagina 10 AT27C512R-90RA Datasheet Pagina 11

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AT27C512R-45TI Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - OTP
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-TSOP

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (8x6)

S29GL256S90DHSS43

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (9x9)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

70V9169L7PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

144Kb (16K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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