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AT25XV041B-MHV-T

AT25XV041B-MHV-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25XV041B-MHV-T
PNEDA Part # AT25XV041B-MHV-T
Descrizione IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.780
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25XV041B-MHV-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25XV041B-MHV-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25XV041B-MHV-T, AT25XV041B-MHV-T Datasheet (Totale pagine: 53, Dimensioni: 3.014,25 KB)
PDFAT25XV041B-MHV-Y Datasheet Copertura
AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 2 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 3 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 4 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 5 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 6 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 7 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 8 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 9 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 10 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 11

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AT25XV041B-MHV-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 2.75ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 4.4V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (5x6)

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Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-S (6x5)

IDT71V25761SA183BQI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

183MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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CY7C1041LV33-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

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