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AT25SF041-MAHD-T

AT25SF041-MAHD-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25SF041-MAHD-T
PNEDA Part # AT25SF041-MAHD-T
Descrizione IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.214
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25SF041-MAHD-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25SF041-MAHD-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25SF041-MAHD-T, AT25SF041-MAHD-T Datasheet (Totale pagine: 47, Dimensioni: 3.381,34 KB)
PDFAT25SF041-MHD-T Datasheet Copertura
AT25SF041-MHD-T Datasheet Pagina 2 AT25SF041-MHD-T Datasheet Pagina 3 AT25SF041-MHD-T Datasheet Pagina 4 AT25SF041-MHD-T Datasheet Pagina 5 AT25SF041-MHD-T Datasheet Pagina 6 AT25SF041-MHD-T Datasheet Pagina 7 AT25SF041-MHD-T Datasheet Pagina 8 AT25SF041-MHD-T Datasheet Pagina 9 AT25SF041-MHD-T Datasheet Pagina 10 AT25SF041-MHD-T Datasheet Pagina 11

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AT25SF041-MAHD-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5µs, 2.5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (2x3)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

EEPROM

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EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Single Wire

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MSP14LV160-E1-GJ-001

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

EDF8164A3PK-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

Produttore

Macronix

Serie

MX29GL

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

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