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AT25DQ321-SH-T

AT25DQ321-SH-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25DQ321-SH-T
PNEDA Part # AT25DQ321-SH-T
Descrizione IC FLASH 32M SPI 100MHZ 8SOIC
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.304
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25DQ321-SH-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25DQ321-SH-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25DQ321-SH-T, AT25DQ321-SH-T Datasheet (Totale pagine: 63, Dimensioni: 2.492,86 KB)
PDFAT25DQ321-S3H-T Datasheet Copertura
AT25DQ321-S3H-T Datasheet Pagina 2 AT25DQ321-S3H-T Datasheet Pagina 3 AT25DQ321-S3H-T Datasheet Pagina 4 AT25DQ321-S3H-T Datasheet Pagina 5 AT25DQ321-S3H-T Datasheet Pagina 6 AT25DQ321-S3H-T Datasheet Pagina 7 AT25DQ321-S3H-T Datasheet Pagina 8 AT25DQ321-S3H-T Datasheet Pagina 9 AT25DQ321-S3H-T Datasheet Pagina 10 AT25DQ321-S3H-T Datasheet Pagina 11

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  • AT25DQ321-SH-T Distributor

AT25DQ321-SH-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (256 Bytes x 16384 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina7µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Tipo di memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

S29GL01GP11TFCR20

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

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