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AT25DL081-SSHN-B

AT25DL081-SSHN-B

Solo per riferimento

Numero parte AT25DL081-SSHN-B
PNEDA Part # AT25DL081-SSHN-B
Descrizione IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8SOIC
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.146
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25DL081-SSHN-B Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25DL081-SSHN-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25DL081-SSHN-B, AT25DL081-SSHN-B Datasheet (Totale pagine: 57, Dimensioni: 2.344,12 KB)
PDFAT25DL081-UUN-T Datasheet Copertura
AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 2 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 3 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 4 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 5 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 6 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 7 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 8 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 9 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 10 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 11

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AT25DL081-SSHN-B Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NM93C13N

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256b (16 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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