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AT25DL081-MHN-T

AT25DL081-MHN-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25DL081-MHN-T
PNEDA Part # AT25DL081-MHN-T
Descrizione IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.380
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25DL081-MHN-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25DL081-MHN-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25DL081-MHN-T, AT25DL081-MHN-T Datasheet (Totale pagine: 57, Dimensioni: 2.344,12 KB)
PDFAT25DL081-UUN-T Datasheet Copertura
AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 2 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 3 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 4 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 5 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 6 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 7 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 8 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 9 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 10 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 11

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AT25DL081-MHN-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (5x6)

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Formato memoria

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Tecnologia

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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NAND04GW3C2BN6E

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

30µs

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

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