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AT25DF321A-CCU-T

AT25DF321A-CCU-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25DF321A-CCU-T
PNEDA Part # AT25DF321A-CCU-T
Descrizione IC FLASH 32M SPI 100MHZ 9UBGA
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25DF321A-CCU-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25DF321A-CCU-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25DF321A-CCU-T, AT25DF321A-CCU-T Datasheet (Totale pagine: 52, Dimensioni: 1.094,6 KB)
PDFAT25DF321A-CCU Datasheet Copertura
AT25DF321A-CCU Datasheet Pagina 2 AT25DF321A-CCU Datasheet Pagina 3 AT25DF321A-CCU Datasheet Pagina 4 AT25DF321A-CCU Datasheet Pagina 5 AT25DF321A-CCU Datasheet Pagina 6 AT25DF321A-CCU Datasheet Pagina 7 AT25DF321A-CCU Datasheet Pagina 8 AT25DF321A-CCU Datasheet Pagina 9 AT25DF321A-CCU Datasheet Pagina 10 AT25DF321A-CCU Datasheet Pagina 11

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AT25DF321A-CCU-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (256 Bytes x 16384 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina7µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia9-UBGA
Pacchetto dispositivo fornitore9-UBGA (6x6)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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IS43DR82560B-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT71V3558S166PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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