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AT25DF011-MAHN-T

AT25DF011-MAHN-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25DF011-MAHN-T
PNEDA Part # AT25DF011-MAHN-T
Descrizione IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 30.532
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25DF011-MAHN-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25DF011-MAHN-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25DF011-MAHN-T, AT25DF011-MAHN-T Datasheet (Totale pagine: 42, Dimensioni: 2.305,43 KB)
PDFAT25DF011-MAHN-Y Datasheet Copertura
AT25DF011-MAHN-Y Datasheet Pagina 2 AT25DF011-MAHN-Y Datasheet Pagina 3 AT25DF011-MAHN-Y Datasheet Pagina 4 AT25DF011-MAHN-Y Datasheet Pagina 5 AT25DF011-MAHN-Y Datasheet Pagina 6 AT25DF011-MAHN-Y Datasheet Pagina 7 AT25DF011-MAHN-Y Datasheet Pagina 8 AT25DF011-MAHN-Y Datasheet Pagina 9 AT25DF011-MAHN-Y Datasheet Pagina 10 AT25DF011-MAHN-Y Datasheet Pagina 11

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AT25DF011-MAHN-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 3.5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (2x3)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

80-TQFP (14x14)

S29GL128N10FAI010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT49H8M36SJ-25E:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

288Mb (8M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

CY7C1321KV18-250BZC

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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