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AT25BCM512C-MAHF-T

AT25BCM512C-MAHF-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25BCM512C-MAHF-T
PNEDA Part # AT25BCM512C-MAHF-T
Descrizione IC FLASH 512K SPI 70MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.310
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25BCM512C-MAHF-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25BCM512C-MAHF-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25BCM512C-MAHF-T, AT25BCM512C-MAHF-T Datasheet (Totale pagine: 33, Dimensioni: 695,58 KB)
PDFAT25BCM512B-MAH-T Datasheet Copertura
AT25BCM512B-MAH-T Datasheet Pagina 2 AT25BCM512B-MAH-T Datasheet Pagina 3 AT25BCM512B-MAH-T Datasheet Pagina 4 AT25BCM512B-MAH-T Datasheet Pagina 5 AT25BCM512B-MAH-T Datasheet Pagina 6 AT25BCM512B-MAH-T Datasheet Pagina 7 AT25BCM512B-MAH-T Datasheet Pagina 8 AT25BCM512B-MAH-T Datasheet Pagina 9 AT25BCM512B-MAH-T Datasheet Pagina 10 AT25BCM512B-MAH-T Datasheet Pagina 11

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AT25BCM512C-MAHF-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock70MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (2x3)

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Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

BR93H86RFJ-WCE2

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (1K x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1.25MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP-J

7164S20YGI

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOJ

IS42S32200L-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 2.8ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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