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AT25256T2-10TC-1.8

AT25256T2-10TC-1.8

Solo per riferimento

Numero parte AT25256T2-10TC-1.8
PNEDA Part # AT25256T2-10TC-1-8
Descrizione IC EEPROM 256K SPI 20TSSOP
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 8.964
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AT25256T2-10TC-1.8 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25256T2-10TC-1.8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25256T2-10TC-1.8, AT25256T2-10TC-1.8 Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 275 KB)
PDFAT25256W-10SI Datasheet Copertura
AT25256W-10SI Datasheet Pagina 2 AT25256W-10SI Datasheet Pagina 3 AT25256W-10SI Datasheet Pagina 4 AT25256W-10SI Datasheet Pagina 5 AT25256W-10SI Datasheet Pagina 6 AT25256W-10SI Datasheet Pagina 7 AT25256W-10SI Datasheet Pagina 8 AT25256W-10SI Datasheet Pagina 9 AT25256W-10SI Datasheet Pagina 10 AT25256W-10SI Datasheet Pagina 11

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AT25256T2-10TC-1.8 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock2.1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore20-TSSOP

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

93C46AX-E/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SST38VF6403B-70I/CD

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST38

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

IS25LQ512A-JDLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

400µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

MT25TL512BAA1ESF-0AAT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 2.8ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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