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AT25256AN-10SI-1.8-T

AT25256AN-10SI-1.8-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25256AN-10SI-1.8-T
PNEDA Part # AT25256AN-10SI-1-8-T
Descrizione IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 3.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25256AN-10SI-1.8-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25256AN-10SI-1.8-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25256AN-10SI-1.8-T, AT25256AN-10SI-1.8-T Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 306,02 KB)
PDFAT25256AW-10SI-2.7-T Datasheet Copertura
AT25256AW-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT25256AW-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT25256AW-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT25256AW-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT25256AW-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT25256AW-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT25256AW-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT25256AW-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT25256AW-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT25256AW-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT25256AN-10SI-1.8-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Sharp Microelectronics

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP-BJ

IS61LF51218A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

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Produttore

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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