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AT25020AY1-10YU-1.8

AT25020AY1-10YU-1.8

Solo per riferimento

Numero parte AT25020AY1-10YU-1.8
PNEDA Part # AT25020AY1-10YU-1-8
Descrizione IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8MAP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 40.908
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25020AY1-10YU-1.8 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25020AY1-10YU-1.8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25020AY1-10YU-1.8, AT25020AY1-10YU-1.8 Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 520,36 KB)
PDFAT25040AY6-10YH-1.8 Datasheet Copertura
AT25040AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 2 AT25040AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 3 AT25040AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 4 AT25040AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 5 AT25040AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 6 AT25040AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 7 AT25040AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 8 AT25040AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 9 AT25040AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 10 AT25040AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 11

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AT25020AY1-10YU-1.8 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Kb (256 x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-MAP (3x4.9)

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

M24C04-FMC6TG

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UFDFPN (2x3)

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Produttore

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Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS42S32400B-7B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

IS29GL01GS-11TFV01-TR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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