AT24C512N-10SI-2.7
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| Numero parte | AT24C512N-10SI-2.7 |
| PNEDA Part # | AT24C512N-10SI-2-7 |
| Descrizione | IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8SOIC |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.564 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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AT24C512N-10SI-2.7 Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AT24C512N-10SI-2.7 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AT24C512N-10SI-2.7, AT24C512N-10SI-2.7 Datasheet
(Totale pagine: 20, Dimensioni: 221,86 KB)
  
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AT24C512N-10SI-2.7 Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
| Interfaccia di memoria | I²C |
| Frequenza di clock | 1MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 10ms |
| Tempo di accesso | 550ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 3.4MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
