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AT24C32A-10TU-1.8-T

AT24C32A-10TU-1.8-T

Solo per riferimento

Numero parte AT24C32A-10TU-1.8-T
PNEDA Part # AT24C32A-10TU-1-8-T
Descrizione IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8TSSOP
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 5.148
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AT24C32A-10TU-1.8-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C32A-10TU-1.8-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C32A-10TU-1.8-T, AT24C32A-10TU-1.8-T Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 688,15 KB)
PDFAT24C32AY6-10YH-1.8 Datasheet Copertura
AT24C32AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 2 AT24C32AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 3 AT24C32AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 4 AT24C32AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 5 AT24C32AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 6 AT24C32AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 7 AT24C32AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 8 AT24C32AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 9 AT24C32AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 10 AT24C32AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 11

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AT24C32A-10TU-1.8-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria32Kb (4K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

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Produttore

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Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

DS1230Y-70IND

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

AS4C64M16D2-25BCNTR

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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