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AT24C16AY1-10YI-2.7

AT24C16AY1-10YI-2.7

Solo per riferimento

Numero parte AT24C16AY1-10YI-2.7
PNEDA Part # AT24C16AY1-10YI-2-7
Descrizione IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8MAP
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 7.740
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT24C16AY1-10YI-2.7 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C16AY1-10YI-2.7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C16AY1-10YI-2.7, AT24C16AY1-10YI-2.7 Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 287,63 KB)
PDFAT24C16AN-10SI-2.7-T Datasheet Copertura
AT24C16AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT24C16AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT24C16AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT24C16AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT24C16AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT24C16AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT24C16AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT24C16AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT24C16AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT24C16AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT24C16AY1-10YI-2.7 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso4.5µs
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-MAP (3x4.9)

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-Fortified BGA (13x11)

CYD09S36V18-WW14

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C1168V18-400BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

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S98WS256PC0HH3YR0

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

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