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AT24C04Y6-10YH-1.8

AT24C04Y6-10YH-1.8

Solo per riferimento

Numero parte AT24C04Y6-10YH-1.8
PNEDA Part # AT24C04Y6-10YH-1-8
Descrizione IC EEPROM 4K I2C 8MINI MAP
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 3.798
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT24C04Y6-10YH-1.8 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C04Y6-10YH-1.8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C04Y6-10YH-1.8, AT24C04Y6-10YH-1.8 Datasheet (Totale pagine: 27, Dimensioni: 620,84 KB)
PDFAT24C16AY6-10YH-1.8 Datasheet Copertura
AT24C16AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 2 AT24C16AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 3 AT24C16AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 4 AT24C16AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 5 AT24C16AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 6 AT24C16AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 7 AT24C16AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 8 AT24C16AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 9 AT24C16AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 10 AT24C16AY6-10YH-1.8 Datasheet Pagina 11

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AT24C04Y6-10YH-1.8 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria4Kb (512 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-Mini Map (2x3)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

169-VFBGA

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Dual I/O

Frequenza di clock

50MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

97µs, 6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-XFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-USON (2x3)

M95320-DFMC6TG

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MLP (2x3)

S29AS008J70BFI043

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-FBGA (8.15x6.15)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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