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AT24C02Y1-10YI-1.8

AT24C02Y1-10YI-1.8

Solo per riferimento

Numero parte AT24C02Y1-10YI-1.8
PNEDA Part # AT24C02Y1-10YI-1-8
Descrizione IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8MAP
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 3.348
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT24C02Y1-10YI-1.8 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C02Y1-10YI-1.8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C02Y1-10YI-1.8, AT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet (Totale pagine: 24, Dimensioni: 353,59 KB)
PDFAT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet Copertura
AT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet Pagina 2 AT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet Pagina 3 AT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet Pagina 4 AT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet Pagina 5 AT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet Pagina 6 AT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet Pagina 7 AT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet Pagina 8 AT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet Pagina 9 AT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet Pagina 10 AT24C02Y1-10YI-1.8 Datasheet Pagina 11

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AT24C02Y1-10YI-1.8 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Kb (256 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-MAP (3x4.9)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8, 32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-LFBGA (11x13)

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Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

MT29F1T08CUEABH8-12IT:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Tb (128G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

152-LBGA (14x18)

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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