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AS7C4096A-20TCNTR

AS7C4096A-20TCNTR

Solo per riferimento

Numero parte AS7C4096A-20TCNTR
PNEDA Part # AS7C4096A-20TCNTR
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.772
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS7C4096A-20TCNTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS7C4096A-20TCNTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS7C4096A-20TCNTR, AS7C4096A-20TCNTR Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 258,86 KB)
PDFAS7C4096A-20TIN Datasheet Copertura
AS7C4096A-20TIN Datasheet Pagina 2 AS7C4096A-20TIN Datasheet Pagina 3 AS7C4096A-20TIN Datasheet Pagina 4 AS7C4096A-20TIN Datasheet Pagina 5 AS7C4096A-20TIN Datasheet Pagina 6 AS7C4096A-20TIN Datasheet Pagina 7 AS7C4096A-20TIN Datasheet Pagina 8 AS7C4096A-20TIN Datasheet Pagina 9 AS7C4096A-20TIN Datasheet Pagina 10

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AS7C4096A-20TCNTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina20ns
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP2

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

576Kb (32K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

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100-TQFP (14x14)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

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Tipo di memoria

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Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256b (16 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

250kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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