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AS7C34098A-10BIN

AS7C34098A-10BIN

Solo per riferimento

Numero parte AS7C34098A-10BIN
PNEDA Part # AS7C34098A-10BIN
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.766
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS7C34098A-10BIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS7C34098A-10BIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS7C34098A-10BIN, AS7C34098A-10BIN Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 588,09 KB)
PDFAS7C34098A-20TIN Datasheet Copertura
AS7C34098A-20TIN Datasheet Pagina 2 AS7C34098A-20TIN Datasheet Pagina 3 AS7C34098A-20TIN Datasheet Pagina 4 AS7C34098A-20TIN Datasheet Pagina 5 AS7C34098A-20TIN Datasheet Pagina 6 AS7C34098A-20TIN Datasheet Pagina 7 AS7C34098A-20TIN Datasheet Pagina 8 AS7C34098A-20TIN Datasheet Pagina 9 AS7C34098A-20TIN Datasheet Pagina 10 AS7C34098A-20TIN Datasheet Pagina 11

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AS7C34098A-10BIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-miniBGA (8x10)

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Produttore

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT40A512M16LY-062E:E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

8Gb (512M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.6GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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CY7C1418UV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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