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AS4C8M16SA-6TINTR

AS4C8M16SA-6TINTR

Solo per riferimento

Numero parte AS4C8M16SA-6TINTR
PNEDA Part # AS4C8M16SA-6TINTR
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.312
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C8M16SA-6TINTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C8M16SA-6TINTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C8M16SA-6TINTR, AS4C8M16SA-6TINTR Datasheet (Totale pagine: 54, Dimensioni: 1.189,41 KB)
PDFAS4C8M16SA-6BINTR Datasheet Copertura
AS4C8M16SA-6BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C8M16SA-6BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C8M16SA-6BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C8M16SA-6BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C8M16SA-6BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C8M16SA-6BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C8M16SA-6BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C8M16SA-6BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C8M16SA-6BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C8M16SA-6BINTR Datasheet Pagina 11

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AS4C8M16SA-6TINTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso5ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore54-TSOP II

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

52-PLCC (19.13x19.13)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

MT41K2G8KJR-125:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

16Gb (2G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.5ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (9.5x13)

MT41K512M16VRN-107 AAT:P

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

8Gb (512M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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CY7C1380D-167BZCT

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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