Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS4C8M16S-6BIN

AS4C8M16S-6BIN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C8M16S-6BIN
PNEDA Part # AS4C8M16S-6BIN
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.822
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C8M16S-6BIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C8M16S-6BIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C8M16S-6BIN, AS4C8M16S-6BIN Datasheet (Totale pagine: 55, Dimensioni: 568,13 KB)
PDFAS4C8M16S-6BINTR Datasheet Copertura
AS4C8M16S-6BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C8M16S-6BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C8M16S-6BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C8M16S-6BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C8M16S-6BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C8M16S-6BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C8M16S-6BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C8M16S-6BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C8M16S-6BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C8M16S-6BINTR Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS4C8M16S-6BIN Datasheet
  • where to find AS4C8M16S-6BIN
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6BIN
  • AS4C8M16S-6BIN PDF Datasheet
  • AS4C8M16S-6BIN Stock

  • AS4C8M16S-6BIN Pinout
  • Datasheet AS4C8M16S-6BIN
  • AS4C8M16S-6BIN Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C8M16S-6BIN Price
  • AS4C8M16S-6BIN Distributor

AS4C8M16S-6BIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina2ns
Tempo di accesso5ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-TFBGA (8x8)

I prodotti a cui potresti essere interessato

EDF8164A3PK-GD-F-D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

216-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

216-FBGA (12x12)

AT28C64E-12JC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200µs

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

IS62WV20488FBLL-45BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

75ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-LBGA (11x13)

IS43R83200B-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

Venduto di recente

BTB06-600SWRG

BTB06-600SWRG

STMicroelectronics

TRIAC SENS GATE 600V 6A TO220AB

CD4013BCN

CD4013BCN

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14DIP

BZX84C3V3LT1G

BZX84C3V3LT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3

AT45DB161D-SU

AT45DB161D-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 16M SPI 66MHZ 8SOIC

LC4064V-75TN100C

LC4064V-75TN100C

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 64MC 7.5NS 100TQFP

RO-1212S

RO-1212S

Recom Power

DC DC CONVERTER 12V 1W

L7980TR

L7980TR

STMicroelectronics

IC REG BUCK ADJ 2A 8VFQFPN

WSL2512R0500FEA

WSL2512R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 2512

NP5Q128A13ESFC0E

NP5Q128A13ESFC0E

Micron Technology Inc.

IC PCM 128M SPI 66MHZ 16SO W

MAX9011EUT+T

MAX9011EUT+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR TTL SOT23-6

MC68HC908GZ60CFA

MC68HC908GZ60CFA

NXP

IC MCU 8BIT 60KB FLASH 48LQFP

BD677A

BD677A

STMicroelectronics

TRANS NPN DARL 60V 4A SOT-32