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AS4C64M8D3-12BINTR

AS4C64M8D3-12BINTR

Solo per riferimento

Numero parte AS4C64M8D3-12BINTR
PNEDA Part # AS4C64M8D3-12BINTR
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.408
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C64M8D3-12BINTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C64M8D3-12BINTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C64M8D3-12BINTR, AS4C64M8D3-12BINTR Datasheet (Totale pagine: 84, Dimensioni: 2.386,21 KB)
PDFAS4C64M8D3-12BINTR Datasheet Copertura
AS4C64M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C64M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C64M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C64M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C64M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C64M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C64M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C64M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C64M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C64M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 11

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AS4C64M8D3-12BINTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-FBGA (8x10.5)

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

40µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-WFBGA (6x4)

SST39VF800A-90-4I-B3KE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA

AT24C512-10TU-1.8

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

125MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 75°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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