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AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C64M4SA-6TIN
PNEDA Part # AS4C64M4SA-6TIN
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.156
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C64M4SA-6TIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C64M4SA-6TIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C64M4SA-6TIN, AS4C64M4SA-6TIN Datasheet (Totale pagine: 55, Dimensioni: 1.272,48 KB)
PDFAS4C64M4SA-6TIN Datasheet Copertura
AS4C64M4SA-6TIN Datasheet Pagina 2 AS4C64M4SA-6TIN Datasheet Pagina 3 AS4C64M4SA-6TIN Datasheet Pagina 4 AS4C64M4SA-6TIN Datasheet Pagina 5 AS4C64M4SA-6TIN Datasheet Pagina 6 AS4C64M4SA-6TIN Datasheet Pagina 7 AS4C64M4SA-6TIN Datasheet Pagina 8 AS4C64M4SA-6TIN Datasheet Pagina 9 AS4C64M4SA-6TIN Datasheet Pagina 10 AS4C64M4SA-6TIN Datasheet Pagina 11

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AS4C64M4SA-6TIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso5.5ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore54-TSOP II

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

150µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.65V ~ 3.3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

32-DIP Module (18.42x52.96)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Formato memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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