AS4C64M16MD1-5BCNTR
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| Numero parte | AS4C64M16MD1-5BCNTR |
| PNEDA Part # | AS4C64M16MD1-5BCNTR |
| Descrizione | IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA |
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.606 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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AS4C64M16MD1-5BCNTR Risorse
| Brand | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AS4C64M16MD1-5BCNTR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AS4C64M16MD1-5BCNTR, AS4C64M16MD1-5BCNTR Datasheet
(Totale pagine: 43, Dimensioni: 5.557,07 KB)
  
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AS4C64M16MD1-5BCNTR Specifiche
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 5ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 60-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x10) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
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