Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS4C64M16D3A-12BIN

AS4C64M16D3A-12BIN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C64M16D3A-12BIN
PNEDA Part # AS4C64M16D3A-12BIN
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.344
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C64M16D3A-12BIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C64M16D3A-12BIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C64M16D3A-12BIN, AS4C64M16D3A-12BIN Datasheet (Totale pagine: 86, Dimensioni: 1.640,8 KB)
PDFAS4C64M16D3A-12BINTR Datasheet Copertura
AS4C64M16D3A-12BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C64M16D3A-12BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C64M16D3A-12BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C64M16D3A-12BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C64M16D3A-12BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C64M16D3A-12BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C64M16D3A-12BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C64M16D3A-12BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C64M16D3A-12BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C64M16D3A-12BINTR Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS4C64M16D3A-12BIN Datasheet
  • where to find AS4C64M16D3A-12BIN
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3A-12BIN
  • AS4C64M16D3A-12BIN PDF Datasheet
  • AS4C64M16D3A-12BIN Stock

  • AS4C64M16D3A-12BIN Pinout
  • Datasheet AS4C64M16D3A-12BIN
  • AS4C64M16D3A-12BIN Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C64M16D3A-12BIN Price
  • AS4C64M16D3A-12BIN Distributor

AS4C64M16D3A-12BIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-FBGA (8x13)

I prodotti a cui potresti essere interessato

MT53B128M32D1DS-062 IT:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1.6GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

M95640-DWDW4TP/K

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 145°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

CY7C1472V33-167AXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

IS61LPS102436A-166TQL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

IDT71V2559S85BG

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

Venduto di recente

NR6045T100M

NR6045T100M

Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 2.5A 61.1 MOHM

CTX01-15473

CTX01-15473

Eaton - Electronics Division

FIXED INDUCTOR

1206L050/15YR

1206L050/15YR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 15V 500MA 1206

NC7SZ08P5X

NC7SZ08P5X

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

ADUC7026BSTZ62

ADUC7026BSTZ62

Analog Devices

IC MCU 32BIT 62KB FLASH 80LQFP

B82422A1103K100

B82422A1103K100

TDK-EPCOS

FIXED IND 10UH 180MA 1.6 OHM SMD

TCZT8020-PAER

TCZT8020-PAER

Vishay Semiconductor Opto Division

PAIRS, IR, SINGLE PARTS: V420P/S

B160B-13-F

B160B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB

AD5676RBRUZ

AD5676RBRUZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 20TSSOP

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

2920L150DR

2920L150DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.5A 2920