AS4C512M8D3B-12BANTR
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| Numero parte | AS4C512M8D3B-12BANTR |
| PNEDA Part # | AS4C512M8D3B-12BANTR |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA |
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.876 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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AS4C512M8D3B-12BANTR Risorse
| Brand | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AS4C512M8D3B-12BANTR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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AS4C512M8D3B-12BANTR Specifiche
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 800MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 20ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.425V ~ 1.575V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 78-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x10.5) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 8ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 119-PBGA (14x22) |
Produttore Etron Technology, Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ns Tempo di accesso 4.5ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 54-FBGA (8x8) |
